1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

Productoverzicht-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

De 1 mm InGaAs PIN-fotodiode (model BPD-1STO46B-FW) van Box Optronics is een krachtige InGaAs-fotodetector ontworpen voor nabij-infrarood (NIR) detectietoepassingen. Met een PIN-diodestructuur zet het invallend optisch vermogen in het golflengtebereik van 900–1650 nm om in een proportionele fotostroom met hoge lineariteit en gevoeligheid. Met een actief gebied met een diameter van 1 mm. Verpakt in een hermetische TO46 metalen bus met een vlak optisch venster, is de fotodiode mechanisch robuust en zorgt voor stabiele prestaties in veeleisende industriële en laboratoriumomstandigheden. Deze eigenschappen maken het een uitstekende keuze voor optische vermogensmonitoring, glasvezeltestmetingen, laserdetectie en NIR-spectroscopie.

Belangrijkste kenmerken: 1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

• Diameter actief gebied: 1 mm voor efficiënte lichtopvang

• Breed spectraal responsbereik: 900 nm tot 1650 nm

• Hoge responsiviteit: 0,9 A/W typisch bij 1310 nm, 0,95 A/W bij 1550 nm

• Ultralage donkerstroom, lage junctiecapaciteit

• Hoge betrouwbaarheid en stabiliteit op lange termijn

• Hermetische TO46 metalen verpakking met plat venster

• Standaard TO-CAN-configuratie voor eenvoudige montage

Typische toepassingen: 1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

• Optische vermogensmeters en optische vermogensmonitoringsmodules

• Glasvezeltest- en meetapparatuur

• Optische signaaldetectie en stroommonitoring in telecomsystemen

• Nabij-infrarood (NIR) spectroscopie en analytische instrumenten

• Bewakings- en controlesystemen voor laservermogen

• Optische verzwakkerkalibratie en karakterisering

• Onderzoek en ontwikkeling in fotonicalaboratoria

• Optische module-integratie en ontwikkeling van fotonische subsystemen

Technische specificaties - 1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

Absoluut maximale waarden (TC = 25°C)

Elektro-optische kenmerken (TC = 25°C)

Productdetails-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

Wat is een InGaAs PIN-fotodiode?

Een InGaAs PIN-fotodiode is een hooggevoelige halfgeleiderdetector ontworpen voor optische detectie in het nabije infrarood (NIR). Gebaseerd op een P-I-N-halfgeleiderstructuur, zet het invallende fotonen om in fotostroom met uitstekende lineariteit en stabiliteit.

InGaAs-fotodiodes werken van 900 nm tot 1700 nm en bieden een hoge responsiviteit over de optische communicatiebanden en het SWIR-gebied, waardoor ze geschikt zijn voor glasvezeltesten, optische vermogensmonitoring, spectroscopie en detectietoepassingen.

Het actieve gebied van 1 mm biedt verbeterde lichtopvangmogelijkheden en verbeterde koppelingstolerantie, waardoor een uitstekende balans ontstaat tussen gevoeligheid, uitlijningsflexibiliteit en detectiesnelheid.

Hoogtepunten van de prestaties: 1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

• Hoge responsiviteit en kwantumefficiëntie

• Ultra-lage donkere stroom

• Lage capaciteit en snelle respons

• Brede spectrumdekking

• Hermetisch TO46-pakket

Pakketafmetingen en pindefinitie-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

Pakkettype: TO46 hermetische metalen bus, plat venster (TO-CAN 3-pins)

Diameter blik: φ5,4 ± 0,2 mm (buiten), φ4,7 ± 0,1 mm (binnen)

Vensterdiameter: φ3,9 ± 0,1 mm

Pinconfiguratie (onderaanzicht): Pin 1 = Anode (P-zijde), Pin 2 = Behuizing (GND), Pin 3 = Kathode (N-zijde)

Bestelinformatie

Modelnomenclatuur

BPS - X X TOT XX - X - X

Voorbeeld: BPD-1STO46B-FW

Gegevensblad-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

Gegevensblad

Doorlooptijd

• Standaardeenheden (modellen op voorraad): 3-5 werkdagen

• Standaardproductie: 10~15 werkdagen

• Volumebestellingen: neem contact op voor het productieschema

• Internationale verzending: ~5 werkdagen (DHL/UPS/FedEx express)

• Versnelde service: beschikbaar op aanvraag

Opmerkingen over bediening en bediening-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

• Fotodiodes zijn apparaten die gevoelig zijn voor elektrostatische ontladingen (ESD). Gebruik altijd de juiste ESD-bescherming

• Raak de kabels niet rechtstreeks met blote vingers aan om besmetting en ESD-schade te voorkomen

• Bewaar ongebruikte apparaten in ESD-veilige verpakkingen of geleidende trays om schade door elektrostatische ontladingen te voorkomen