3 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5

Productoverzicht-3 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5

De BPD-3STO5B-FW van Box Optronics is een InGaAs PIN-fotodiode met actief gebied van 3 mm in TO5-behuizing en een vlak venster. Deze 3 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5 is ontworpen voor optische vermogensmeters, glasvezeltests en -metingen, optische detectie en NIR-spectroscopietoepassingen. Gebaseerd op een betrouwbare PIN-fotodiodestructuur, zet het invallende optische signalen van 900 nm tot 1650 nm om in proportionele fotostroom met uitstekende lineariteit, hoge verantwoordelijkheid en stabiele prestaties op de lange termijn.

Belangrijkste kenmerken: 3 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5

● Grote actieve gebiedsdiameter: 3 mm

● Breed spectraal responsbereik: 900 nm tot 1650 nm, geschikt voor belangrijke nabij-infrarood (NIR) detectietoepassingen

● Hoge responsiviteit: 0,9 A/W typisch bij 1310 nm, 0,95 A/W typisch bij 1550 nm

● Lage donkerstroom voor uiterst gevoelige detectie van zwakke signalen

● Lage junctiecapaciteit, ondersteunt een hoge responssnelheid en werking met grote bandbreedte

● Hermetische TO5 metalen verpakking met plat venster

Typische toepassingen: 3 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5

● Optische vermogensmeters en optische vermogensbewakingsmodules

● Glasvezeltest- en meetapparatuur

● Optische signaaldetectie- en vermogensbewakingssystemen

● Zwakke optische signaalmeting en karakterisering

● Nabij-infrarood (NIR) spectroscopie en analytische instrumenten

● Bewakings- en controlesystemen voor laservermogen

● Optische detectie- en optische detectiesystemen in de vrije ruimte

● Fotonicaonderzoek en laboratoriuminstrumentatie

● Kalibratie en karakterisering van de optische verzwakker

Technische specificaties - 3 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5

Absoluut maximale waarden (TC = 25°C)

Elektro-optische kenmerken (TC = 25°C)

Pakketafmetingen en pindefinitie-3 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5

Bestelinformatie-3 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5

Modelnomenclatuur

BPS - X X TOT XX - X - X

Voorbeeld: BPD-3STO5B-FW

Veelgestelde vragen (FAQ) -3 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5

Vraag: Wat is de minimale bestelhoeveelheid (MOQ)?

A: De MOQ voor 3 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5 is 1 eenheid. Wij ondersteunen flexibele bestelhoeveelheden. Neem contact met ons op voor specifieke prijzen voor de door u gewenste hoeveelheid.

Vraag: Welk golflengtebereik kan deze 3 mm InGaAs-fotodiode detecteren?

A: Deze InGaAs PIN-fotodiode biedt een breed nabij-infraroodresponsbereik van 900 nm tot 1650 nm, en bestrijkt veelgebruikte optische golflengten, waaronder communicatiebanden van 1310 nm en 1550 nm.

Het is geschikt voor NIR-detectietoepassingen zoals optische vermogensmeting, detectie, spectroscopie en optische instrumentatie.

Vraag: Is het TO5-pakket hermetisch afgesloten?

EEN: Ja. De TO5-metalen behuizing biedt een hermetisch afgesloten structuur en beschermt de fotodiodechip tegen vocht en omgevingsverontreiniging.

Het platte optische vensterontwerp maakt gemakkelijke integratie in optische meet- en detectiesystemen mogelijk, terwijl de betrouwbaarheid op lange termijn behouden blijft.

Gegevensblad-3 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5

Gegevensblad

Doorlooptijd-3 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5

● Standaardeenheden (modellen op voorraad): 3~5 werkdagen

● Standaardproductie: 10~15 werkdagen

● Volumebestellingen: Neem contact op voor het productieschema

● Internationale verzending: ~5 werkdagen (DHL/UPS/FedEx express)

● Versnelde service: beschikbaar op aanvraag

Opmerkingen over bediening en bediening-3 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5

● Fotodiodes zijn apparaten die gevoelig zijn voor elektrostatische ontladingen (ESD). Tijdens het hanteren moeten altijd de juiste ESD-beschermingsprocedures worden gevolgd.

● Vermijd het rechtstreeks aanraken van de kabels en het optische venster met blote vingers om besmetting en mogelijke ESD-schade te voorkomen.

● Bewaar ongebruikte apparaten in ESD-veilige verpakkingen of geleidende trays om het risico op schade door elektrostatische ontladingen te minimaliseren.

● Overschrijd de absolute maximale waarden die in het gegevensblad staan ​​vermeld niet.

● Als er vervuiling optreedt, reinigt u het optische venster zorgvuldig met isopropylalcohol (IPA) en een pluisvrij wattenstaafje.

● Let tijdens bedrijf op de juiste polariteit. Onjuiste voorspanningspolariteit kan resulteren in een onjuiste werking en kan permanente schade veroorzaken onder overmatige voorwaartse stroomomstandigheden.

Gerelateerde producten-3 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5

Box Optronics biedt een reeks InGaAs PIN-fotodiodes met verschillende actieve gebiedsgroottes en pakketopties om aan diverse toepassingsvereisten te voldoen:

● 1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46 (model BPD-1STO46B-FW): compacte fotodiode-oplossing met een klein actief gebied, lage junctiecapaciteit en snelle responscapaciteit, ideaal voor optische meet- en detectiesystemen met beperkte ruimte.

● 2 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5 (model BPD-2STO5B-FW): een uitgebalanceerd ontwerp dat verbeterde lichtopvangmogelijkheden en uitlijningstolerantie biedt, terwijl een compacte TO5-verpakkingsgrootte behouden blijft, geschikt voor algemene optische vermogensmetingen en NIR-detectietoepassingen.

● 5 mm InGaAs PIN-fotodiode TO5 (model BPD-5STO5B-FW): fotodiode met groot oppervlak, ontworpen voor maximale lichtopvangefficiëntie en hoge koppelingstolerantie, geschikt voor optische detectie in de vrije ruimte, metingen van grote bundels en toepassingen voor detectie van zwakke optische signalen.

● Fiber Pigtailed InGaAs-fotodiodemodules: geïntegreerde glasvezelgekoppelde fotodiodes met FC/PC- of FC/APC-connectoren voor directe glasvezelverbinding.

● Optische vermogensmetermodules: complete oplossingen voor het meten van optische vermogens, waarin InGaAs-fotodiodes zijn geïntegreerd met signaalversterking, kalibratie en digitale weergavefuncties voor nauwkeurige monitoring van het optische vermogen.